Электрические свойства твердых тел определяются их способностью проводить электрический ток, поляризоваться под действием внешнего электрического поля и взаимодействовать с электрическими зарядами. Эти свойства напрямую связаны с микроскопической структурой вещества, характером химических связей и наличием дефектов кристаллической решетки.
Электропроводность характеризует способность вещества переносить электрический заряд за счет движения носителей тока: электронов или ионов. Твердые тела делятся на металлы, полупроводники и диэлектрики в зависимости от величины электропроводности.
В твердых телах носителями тока могут быть:
Для металлов сопротивление увеличивается с ростом температуры вследствие усиления колебаний решетки, приводящих к рассеянию электронов. В полупроводниках, напротив, проводимость растет с температурой, так как увеличивается концентрация носителей заряда. Закон Ома для твердых тел описывается формулой:
J = σE
где J — плотность тока, E — напряжённость электрического поля, σ — удельная электропроводность.
Под действием электрического поля диэлектрики проявляют поляризацию, заключающуюся в смещении зарядов внутри молекул или ионов кристалла. Существуют несколько механизмов поляризации:
Диэлектрическая проницаемость ε определяет способность вещества усиливать электрическое поле внутри него. Связь между электрическим смещением D и напряжённостью поля E выражается как:
D = ε0E + P = εε0E
где P — вектор поляризации, ε0 — диэлектрическая постоянная вакуума.
Ионные проводники обладают высокой ионной проводимостью за счет мобильных ионов. Важными примерами являются твердые электролиты, применяемые в аккумуляторах и топливных элементах. Механизмы переноса включают вакантные и интерстициальные перемещения ионов, а также более сложные дефектные процессы в кристалле.
Полупроводники демонстрируют уникальные свойства за счет наличия зоны проводимости и валентной зоны. При легировании создаются доноры и акцепторы, которые увеличивают концентрацию электронов или дырок. Электрические свойства полупроводников используют в полевых и биполярных транзисторах, диодах, солнечных элементах. Важной характеристикой является температурная активация носителей заряда, описываемая уравнением:
$$ n \propto \exp\left(-\frac{E_g}{2kT}\right) $$
где Eg — ширина запрещённой зоны, k — постоянная Больцмана, T — температура.
Наноматериалы проявляют специфические электрические свойства благодаря квантовым эффектам и увеличенной роли поверхности. В нанопроводниках и квантовых точках возникают эффекты туннелирования и дискретизация уровней энергии, влияющие на проводимость и диэлектрическую проницаемость.
Несовершенства кристаллической решетки (вакансии, межузельные атомы, дислокации) существенно влияют на электропроводность и поляризацию. В металлах дефекты увеличивают сопротивление, в полупроводниках создают локальные уровни, способствующие рекомбинации носителей. В ионных кристаллах наличие вакансий ускоряет ионную проводимость.
Ферроэлектрики обладают спонтанной поляризацией, которая может быть изменена внешним электрическим полем, что делает их основой памяти и сенсорной техники. Пьезоэлектрики генерируют электрический заряд при механической деформации кристалла и находят применение в датчиках, генераторах и актуаторах.
Во многих кристаллах электропроводность зависит от направления в решетке (анизотропия), что особенно важно для полупроводниковых и ионных твердых тел. Анизотропия проявляется в различной подвижности носителей заряда вдоль различных кристаллографических осей.
Электрические свойства твердых тел представляют собой комплекс явлений, включающий проводимость, поляризацию, ионный перенос и взаимодействие с внешним электрическим полем. Их изучение позволяет создавать материалы с заданными характеристиками для электроники, энергетики и сенсорной техники.