Ковалентная связь в твёрдых телах

Ковалентная связь является одним из фундаментальных типов химического взаимодействия, определяющих строение и свойства твёрдых тел. Она возникает в результате перекрывания атомных орбиталей и образования общих электронных пар между атомами. В твёрдых телах ковалентная связь обеспечивает высокую прочность решётки, жёсткость кристаллической структуры и характерные физико-химические свойства, такие как высокая температура плавления, малая пластичность и низкая электропроводность.

Особенность ковалентных кристаллов заключается в том, что вся решётка представляет собой единый макромолекулярный объект, где каждый атом связан с соседними прочными направленными связями. В отличие от ионных или металлических решёток, ковалентная структура не обладает подвижными заряженными частицами, что объясняет её диэлектрический характер.


Типы ковалентных твёрдых тел

1. Кристаллы с трёхмерной сетью ковалентных связей. Наиболее ярким примером является алмаз, где каждый атом углерода образует четыре прочные σ-связи с соседями, формируя пространственную тетраэдрическую структуру. Такая организация приводит к исключительно высокой твёрдости, теплопроводности и химической стойкости.

2. Слоистые ковалентные структуры. Графит иллюстрирует иной тип ковалентной организации: атомы углерода внутри слоя соединены прочными связями, формируя двумерные шестиугольные сетки, а между слоями действуют слабые ван-дер-ваальсовы силы. Такая анизотропия обуславливает мягкость, смазочные свойства и высокую электропроводность вдоль слоёв.

3. Полупроводниковые ковалентные решётки. Кремний, германий, арсенид галлия и ряд других соединений обладают кристаллическими решётками, аналогичными алмазоподобной. В таких материалах энергетическая зонная структура определяется особенностями ковалентных связей, что приводит к возникновению запрещённой зоны и полупроводниковых свойств.


Механизм образования ковалентных связей

Перекрывание атомных орбиталей приводит к возникновению общей электронной плотности между двумя ядрами. В кристалле этот процесс распространяется на всю структуру, формируя непрерывную сеть связей.

  • σ-связи образуются при осевом перекрывании s- или p-орбиталей и определяют прочность кристаллической решётки.
  • π-связи возникают за счёт бокового перекрывания p-орбиталей и чаще всего сопровождают σ-связи, придавая материалу дополнительные свойства, например, проводимость в графите.
  • Гибридизация орбиталей (sp³ в алмазе, sp² в графите) играет ключевую роль в геометрии кристалла и определяет направление связей.

Физические свойства ковалентных твёрдых тел

  1. Высокая твёрдость и прочность. Обусловлены сильными направленными связями, особенно в трёхмерных сетках.
  2. Высокие температуры плавления. Разрушение кристалла требует разрыва большого числа прочных связей.
  3. Хрупкость. Смещение слоёв в кристалле затруднено, так как нарушается вся система связей.
  4. Электропроводность. Большинство ковалентных кристаллов являются диэлектриками, однако при наличии π-связей или примесных уровней возможна полупроводимость.
  5. Теплопроводность. Алмаз обладает исключительно высокой теплопроводностью благодаря прочности связей и малой амплитуде колебаний атомов.

Зонная теория и ковалентные кристаллы

В ковалентных твёрдых телах энергетические уровни атомов сливаются в зоны вследствие взаимодействия огромного числа орбиталей. Характерной особенностью является образование запрещённой зоны между валентной и зоной проводимости.

  • В диэлектриках ширина запрещённой зоны превышает 5 эВ, что делает тепловое возбуждение электронов невозможным.
  • В полупроводниках (Si, Ge, GaAs) ширина зоны составляет 0,5–3 эВ, благодаря чему проводимость зависит от температуры и примесей.
  • В материалах с частичным перекрыванием зон (графит, графен) наблюдается высокая электропроводность.

Примеры и практическое значение

  • Алмаз. Используется в режущем инструменте, оптике, теплопроводящих подложках.
  • Графит. Применяется как электродный материал, смазка, сорбент, катализатор.
  • Кремний и германий. Лежат в основе современной микроэлектроники, солнечных элементов и датчиков.
  • Соединения типа A³B⁵ (GaAs, InP). Играют ключевую роль в оптоэлектронике, производстве лазеров, фотодиодов и СВЧ-устройств.

Особенности дефектов в ковалентных структурах

Ковалентные кристаллы крайне чувствительны к точечным дефектам и примесным атомам. Введение донорных или акцепторных примесей изменяет зонную структуру, управляя электропроводностью полупроводников. В алмазе и графите дефекты существенно влияют на механические и оптические свойства.