Халькогенидами называют соединения, в состав которых входят элементы
группы халькогенов — кислород, сера, селен и теллур — в сочетании с
различными металлами и неметаллами. Эти соединения обладают широким
спектром структурных и физических свойств, зависящих как от природы
катиона, так и от степени окисления халькогена. В химии твёрдого тела
халькогениды занимают особое место благодаря разнообразию их
кристаллических структур, уникальным электронным характеристикам и
высокой функциональной значимости для материаловедения, электроники и
энергетики.
Классификация и состав
Халькогениды можно классифицировать по нескольким критериям:
Кристаллические структуры
Структуры халькогенидов варьируются от ионных до ковалентных и
слоистых:
- Ионные кристаллы характерны для соединений щелочных
металлов с серой и селеном, где доминирует электростатическое
взаимодействие.
- Ковалентные сети формируются в сульфидах и
селенидах переходных металлов, таких как MoS₂ и WS₂, образующих слоистые
двумерные структуры.
- Слоистые и ван-дер-ваальсовы кристаллы (например,
Bi₂Te₃, SnSe₂) обладают высокой анизотропией и возможностью
механического расслоения до монослоёв.
- Металлические и полуметаллические фазы встречаются
в теллуридах и некоторых селенидах тяжёлых элементов, где электронная
плотность частично делокализована.
Электронные свойства
Халькогениды проявляют широкий спектр электронных свойств — от
диэлектриков до полупроводников и металлов:
- Полупроводниковые халькогениды (CdS, PbS, MoS₂)
обладают регулируемой шириной запрещённой зоны, что делает их
перспективными для фотокатализа, солнечных элементов и
транзисторов.
- Топологические изоляторы на основе Bi₂Se₃ и Bi₂Te₃
демонстрируют необычные поверхностные состояния, защищённые симметрией,
и активно исследуются в квантовой электронике.
- Суперпроводящие халькогениды (FeSe и его
производные) находятся в центре исследований высокотемпературной
сверхпроводимости.
- Термоэлектрические материалы на основе теллуридов
(Bi₂Te₃, PbTe) обеспечивают преобразование тепловой энергии в
электрическую с высокой эффективностью.
Магнитные и оптические
характеристики
- Магнетизм проявляется у ряда сульфидов и селенида
переходных металлов (FeS₂, NiS), где взаимодействие спинов обуславливает
ферро- и антиферромагнитное поведение.
- Оптические свойства включают сильное поглощение и
люминесценцию, что используется в лазерах, светоизлучающих диодах и
детекторах. Узкозонные халькогениды (PbS, PbSe) демонстрируют высокую
чувствительность в инфракрасной области.
Дефекты и неупорядоченность
Халькогениды склонны к отклонению от стехиометрии, что определяет их
физико-химические характеристики:
- вакансии по халькогену создают донорные уровни и меняют
электропроводность;
- межузельные атомы катионов способствуют дефектной проводимости;
- структурные полиморфные переходы сопровождаются изменением
электронной структуры и магнитных свойств.
Методы синтеза
Для получения халькогенидов применяются различные подходы:
- Твёрдофазные реакции при высоких температурах в
вакууме или инертной атмосфере;
- Гидротермальный и солвотермальный синтез,
позволяющий контролировать морфологию и размер частиц;
- Молекулярно-лучевая эпитаксия и химическое осаждение из
газовой фазы, обеспечивающие создание тонких плёнок с высокой
степенью контроля;
- Золь-гель методы для формирования аморфных и
наноструктурированных материалов.
Применения
- Электроника и оптоэлектроника: фотодиоды, лазеры,
солнечные элементы, транзисторы на основе двумерных халькогенидов.
- Энергетика: термоэлектрические преобразователи на
основе Bi₂Te₃ и PbTe, катализаторы для реакции водного разложения
(MoS₂).
- Информационные технологии: фазовые халькогенидные
материалы (Ge₂Sb₂Te₅) для энергонезависимой памяти.
- Медицина и сенсоры: наночастицы сульфидов и
селенида для биосенсоров, фотодинамической терапии и контрастных
агентов.
Халькогениды представляют собой класс соединений, в котором
пересекаются кристаллография, физика твёрдого тела и прикладная химия.
Их структурное и электронное многообразие делает возможным создание
новых функциональных материалов, определяющих современное развитие
нанотехнологий и квантовой электроники.