Теория отталкивания электронных пар валентной оболочки (Valence Shell Electron Pair Repulsion, VSEPR) объясняет геометрию молекул и ионов на основе минимизации кулоновского отталкивания между электронными парами вокруг центрального атома. Основной постулат заключается в том, что электронные пары, образующиеся в валентной оболочке атома, стремятся расположиться максимально далеко друг от друга, чтобы уменьшить энергию системы. Это положение определяет пространственное строение молекулы.
Электронные пары делятся на связующие (участвующие в образовании химических связей) и несвязующие (свободные). Свободные пары занимают больше объёма, чем связывающие, что приводит к деформациям геометрии молекул.
Связующие пары (bonding pairs) Образуются при делении электронной плотности между атомами, формируя ковалентные связи. Расстояние между ними определяется длиной химической связи.
Свободные пары (lone pairs) Не участвуют в связывании, но оказывают значительное отталкивающее воздействие на соседние пары. Свободные пары уменьшают угол между связями по сравнению с идеальной геометрией, рассчитанной только на основе связующих пар.
Множественные связи (двойные, тройные) Распределяют электронную плотность более локализованно, чем одиночные связи, создавая усиленное отталкивание по сравнению с одиночными связями.
Молекулы классифицируются по количеству электронных областей (связующих и свободных пар) вокруг центрального атома:
Двухэлектронные области — линейная геометрия
Трёхэлектронные области — треугольная плоская геометрия
Четырёхэлектронные области — тетраэдрическая геометрия
Пятиэлектронные области — тригональная бипирамида
Шестииэлектронные области — октаэдрическая геометрия
VSEPR устанавливает иерархию влияния пар на молекулярную геометрию:
свободная–свободная > свободная–связывающая > связывающая–связывающая
VSEPR остаётся фундаментальным инструментом для понимания структуры молекул, позволяя систематизировать пространственное распределение атомов и предсказывать их геометрические особенности на основе простых принципов отталкивания электронных пар.