Ковалентные кристаллы представляют собой твердые вещества, в которых
атомы соединены друг с другом ковалентными связями,
образуя пространственные сети, простирающиеся на большие расстояния. В
отличие от ионных или металлических кристаллов, где связи носят
преимущественно электростатический характер, в ковалентных кристаллах
каждая связь является направленной и обусловлена обменом
электронов между атомами, что обеспечивает высокую прочность и
стабильность структуры.
Типичные элементы и
соединения
Ковалентные кристаллы формируются преимущественно элементами,
обладающими высокой электроотрицательностью и способностью образовывать
несколько связей. Классическими примерами служат:
- Углерод: графит и алмаз, демонстрирующие
полиморфизм и различия в пространственном расположении атомов.
- Селен, бор: элементы с полупроводниковыми и
поликристаллическими формами.
- Кремний и германий: образуют структуры, характерные
для полупроводников.
Соединения с ковалентной кристаллической решеткой включают
диоксид кремния (SiO₂), карбиды (SiC, B₄C), нитриды
(BN, AlN), где каждая единица сети соединена многократными или
одинарными ковалентными связями.
Геометрия и координация
Ковалентные кристаллы характеризуются строгой геометрической
упорядоченностью, определяемой углами наклона и длинами
связей:
- Тетраэдрическая координация: каждый атом соединен с
четырьмя соседями, как в алмазе и кремнии. Углы C–C–C или Si–Si–Si
составляют приблизительно 109,5°.
- Тригональная и гексагональная координация:
встречается в графите (углерод), где каждый атом соединён с тремя
соседями в плоскости, а слои удерживаются слабыми ван-дер-ваальсовыми
силами.
- Плоская и линейная координация: наблюдается в
некоторых борных соединениях, что формирует двухмерные или цепочечные
сети.
Свойства ковалентных
кристаллов
Механические и термические свойства:
- Исключительная твердость и высокая температура плавления,
обусловленные прочностью ковалентных связей.
- Алмаз обладает наибольшей твердостью среди известных материалов,
благодаря трехмерной сети тетраэдров.
- Графит мягок и легко слоится, что объясняется слабым взаимодействием
между слоями.
Электрические свойства:
- Большинство ковалентных кристаллов являются диэлектриками из-за
отсутствия свободных электронов.
- Исключение составляют графит и полупроводники типа Si и Ge, где
присутствуют подвижные носители заряда.
Оптические свойства:
- Прозрачность алмаза для видимого света и высокое преломление
объясняются плотной упаковкой атомов и отсутствием свободных
электронов.
- Цвет и прозрачность зависят от присутствия дефектов, примесей или
структурных полиморфных модификаций.
Энергетические аспекты
Энергия ковалентных кристаллов определяется суммой энергий
индивидуальных связей. Высокая энергия связи приводит к:
- Значительной стабильности при стандартных условиях.
- Сложности в химическом разложении и высокой температуре
плавления.
Энергетическая диаграмма ковалентного кристалла отражает
широкую запрещенную зону (band gap), что объясняет его
диэлектрические или полупроводниковые свойства.
Особенности дефектов и
примесей
Ковалентные кристаллы чувствительны к точечным и структурным
дефектам:
- Вакансии и междоузлия могут существенно изменять
электрические и оптические свойства.
- Примеси (доноры и акцепторы) в полупроводниках типа
Si или Ge регулируют проводимость.
- Сдвиги и искажения сетки приводят к изменению
механической прочности или формированию трещин.
Классификация ковалентных
кристаллов
- Элементарные кристаллы: состоят из одного вида
атомов (алмаз, графит, бор).
- Соединения ковалентного типа: включают несколько
химических элементов (SiO₂, BN, SiC).
- Сетчатые полупроводники: кремний, германий, где
свойства сильно зависят от чистоты и кристаллической дефектности.
Закономерности формирования
Формирование ковалентных кристаллов определяется:
- Электронной конфигурацией атомов и числом валентных
электронов.
- Энергетической выгодностью образования направленных
связей.
- Минимизацией свободной энергии и плотной упаковкой
сетки.
Пространственная структура ковалентных кристаллов обеспечивает
устойчивость к внешним воздействиям, определяет
термическую и химическую стойкость, а также основные физические
свойства, используемые в электронике, оптике и материаловедении.